以前，我以为，7nm以下只能euv，因为tsmc就是这么搞的。duv的多次曝光是权宜之计。 最近，和朋友聊了聊，才发现不是的，人被逼到那个份上，思路被打开了。euv在2nm之前不是必须的。多次曝光比想象中的牛逼多了。gaa都不是问题。 我第一反应是不是良率不行，成本飙升？答案是不一定，euv良率也有限，duv多次曝光是多了很多工序，但起码现在，没有成本上的显著差距。未来可能潜力不行，被甩开，但起码现在，可以狠狠得往前迈一步。…

目前没有商用的国产光刻机。差距太大，上头几乎已经放弃研制光刻机了，也不算保密，只是没公布罢了。 目前国产最新的水平是07年研制出16年才形成制造能力的90nm，上头觉得能够保证战略要求就足够了，所以这个90nm的也没有商业化量产过，只有几台预研机。 下一步其实应该是65nm光刻机，这也是国内唯一真正立项的光刻机项目。 而国外65nm正是07年开始量产的，中国整整憋了17年，还是没有造出来。 光刻机平均三年一代，01年第七代13…